功率半導體器件

SiC芯片及器件:

SBD芯片及器件

簡介:

  • 具有正溫度系數、耐高壓、高浪涌能力、高電流密度,低比導通電阻等特點。

產品參數:

反向重復峰值電壓:(V) 1200-3300
正向電流(A) 10-47
運行結溫(℃) -40-150

應用:

光伏、軌交、電網等。

MOSFET芯片及器件

簡介:

  • 車規級SiC MOSFET芯片,具有高電流密度,低比導通電阻 ,高工作頻率等特點,適用于新能源汽車、充電樁領域;高壓SiC MOSFET芯片,芯片內置柵電阻,具有低開關損耗,高工作頻率的特點,適用于軌道交通、電網領域。

產品參數:

擊穿電壓(V) 1200-3300
正向電流(A) 32-60
運行結溫(℃) -40-175

應用:

高壓MOSFET用于軌交、電網。

車規級MOSFET用于新能源汽車、充電樁。

SiC模塊

簡介:

  • 采用中車第二代SiC芯片,具有正溫度系數,高浪涌能力等特點。

產品參數:

額定電壓(V) 1200-3300
額定電流(A) 500-1600
工作結溫(℃) 75-95

應用:

軌交、電網、新能源汽車、充電樁。

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